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技术文(wén)章
ESD产生的机理(lǐ)

2022.06.14

要防止ESD,首先必须知道ESD是什么以及ESD进入電(diàn)子设备的过程。一个充電(diàn)的导體(tǐ)接近另一个导體(tǐ)时,就有(yǒu)可(kě)能(néng)发生ESD。首先,两个导體(tǐ)之间会建立一个很(hěn)强的電(diàn)场,产生由電(diàn)场引起的击穿。两个导體(tǐ)之间的電(diàn)压超过它们之间空气和绝缘介质的击穿電(diàn)压时,就会产生電(diàn)弧。在0.7ns到10ns的时间里,電(diàn)弧電(diàn)流会达到几十安培,有(yǒu)时甚至会超过100安培。電(diàn)弧将一直维持直到两个导體(tǐ)接触短路或者電(diàn)流低到不能(néng)维持電(diàn)弧為(wèi)止。

ESD的产生取决于物(wù)體(tǐ)的起始電(diàn)压、電(diàn)阻、電(diàn)感和寄生電(diàn)容:

可(kě)能(néng)产生電(diàn)弧的实例有(yǒu)人體(tǐ)、带電(diàn)器件和机器。

可(kě)能(néng)产生尖峰電(diàn)弧的实例有(yǒu)手或金属物(wù)體(tǐ)。

可(kě)能(néng)产生同极性或者极性变化的多(duō)个電(diàn)弧的实例有(yǒu)家具。

ESD可(kě)以通过五种耦合途径进入電(diàn)子设备:

初始的電(diàn)场能(néng)容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD電(diàn)弧100mm处产生高达4000V/m的高压。

電(diàn)弧注入的電(diàn)荷/電(diàn)流可(kě)以产生以下的损坏和故障:

a. 穿透元器件内部薄的绝缘层,损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极(常见)。

b. CMOS器件中的触发器锁死(常见)。

c. 短路反偏的PN结(常见)。

d. 短路正向偏置的PN结(少见)。

e. 熔化有(yǒu)源器件内部的焊接線(xiàn)或铝線(xiàn)(少见)。

電(diàn)流会导致导體(tǐ)上产生電(diàn)压脉冲(V=L×dI/dt),这些导體(tǐ)可(kě)能(néng)是電(diàn)源、地或信号線(xiàn),这些電(diàn)压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件(常见)。

電(diàn)弧会产生一个频率范围在1MHz到500MHz的强磁场,并感性耦合到临近的每一个布線(xiàn)环路,在离ESD電(diàn)弧100mm遠(yuǎn)的地方产生高达15A/m的電(diàn)流。

電(diàn)弧辐射的電(diàn)磁场会耦合到長(cháng)的信号線(xiàn)上,这些信号線(xiàn)起到接收天線(xiàn)的作用(yòng)(少见)。

ESD会通过各种各样的耦合途径找到设备的薄弱点。ESD频率范围宽,不仅仅是一些离散的频点,它甚至可(kě)以进入窄带電(diàn)路中。為(wèi)了防止ESD干扰和损毁,必须隔离这些路径或者加强设备的抗ESD能(néng)力。表1描述了对可(kě)能(néng)出现的ESD的防范措施以及发挥作用(yòng)的场合。

防患于未然

塑料机箱、空气空间和绝缘體(tǐ)可(kě)以屏蔽射向電(diàn)子设备的ESD電(diàn)弧。除利用(yòng)距离保护以外,还要建立一个击穿電(diàn)压為(wèi)20kV的抗ESD环境。

A1. 确保電(diàn)子设备与下列各项之间的路径長(cháng)度超过20mm。

包括接缝、通风口和安装孔在内任何用(yòng)户能(néng)够接触到的点。在電(diàn)压一定的情况下,電(diàn)弧通过介质的表面比通过空气传播得更遠(yuǎn)。

任何用(yòng)户可(kě)以接触到的未接地金属,如紧固件、开关、操纵杆和指示器。

A2. 将電(diàn)子设备装在机箱凹槽或槽口处来增加接缝处的路径長(cháng)度。

A3.在机箱内用(yòng)聚脂薄膜带来覆盖接缝以及安装孔,这样延伸了接缝/过孔的边缘,增加了路径長(cháng)度。

A4.用(yòng)金属帽或者屏蔽塑料防尘盖罩住未使用(yòng)或者很(hěn)少使用(yòng)的连接器。

A5.使用(yòng)带塑料轴的开关和操纵杆,或将塑料手柄/套子放在上面来增加路径長(cháng)度。避免使用(yòng)带金属固定螺丝的手柄。

A6.将LED和其它指示器装在设备内孔里,并用(yòng)带子或者盖子将它们盖起来,从而延伸孔的边沿或者使用(yòng)导管来增加路径長(cháng)度。

A7.延伸薄膜键盘边界使之超出金属線(xiàn)12mm,或者用(yòng)塑料企口来增加路径長(cháng)度。

A8. 将散热器靠近机箱接缝,通风口或者安装孔的金属部件上的边和拐角要做成圆弧形状。

A9. 塑料机箱中,靠近電(diàn)子设备或者不接地的金属紧固件不能(néng)突出在机箱中。

A10. 如果产品不能(néng)通过桌面/地面或者水平耦合面的间接ESD测试,可(kě)以安装一个高支撑脚使之遠(yuǎn)离桌面或地面。

A11.在触摸橡胶键盘上,确保布線(xiàn)紧凑并且延伸橡胶片以增加路径長(cháng)度。

A12.在薄膜键盘電(diàn)路层周围涂上粘合剂或密封剂。

A13.在机箱箱體(tǐ)接合处,要使用(yòng)耐高压硅树脂或者垫圈实现密闭、防ESD、防水和防尘。

机箱和屏蔽

利用(yòng)金属机箱和屏蔽罩可(kě)以阻止ESD電(diàn)弧以及相应的電(diàn)磁场,并且保护设备免受间接ESD的影响,目的是将全部ESD阻隔在机箱以外。对于静電(diàn)敏感的電(diàn)子设备来说,不接地机箱至少应该具有(yǒu)20kV的击穿電(diàn)压(规则A1到A9);而对接地机箱,電(diàn)子设备至少要具备1,500V击穿電(diàn)压以防止二级電(diàn)弧,并且要求路径長(cháng)度大于等于2.2mm。

以下措施能(néng)使ESD的屏蔽更有(yǒu)效。

B1. 如果需要,应设计由以下屏蔽材料制成的机箱:

金属板;

聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板;

具有(yǒu)焊接结点的热成型金属网。

热成型金属化的纤维垫子(非编织)或者织物(wù)(编织);

银、铜或者镍涂层;

锌電(diàn)弧喷涂;

真空金属处理(lǐ);

无電(diàn)電(diàn)镀;

塑料中加入导體(tǐ)填充材料;

对结合点和边缘的处理(lǐ)很(hěn)关键。

B2. 选择一种具有(yǒu)高传导率(低電(diàn)阻系数)的材料,见表2。

B3. 选择屏蔽材料、紧固件材料和垫圈材料来尽可(kě)能(néng)地减轻腐蚀。参考表2。

1. 相互接触的部件彼此之间的電(diàn)势(EMF)应该小(xiǎo)于0.75V。如果在一个盐性潮湿环境中,那么彼此之间的電(diàn)势必须小(xiǎo)于0.25V。

2. 阳极(正极)部件的尺寸应该大于阴极(负极)部件。

B4. 用(yòng)缝隙宽度5倍以上的屏蔽材料叠合在接缝处。

B5. 在屏蔽层与箱體(tǐ)之间每隔20mm(0.8英寸)的距离通过焊接、紧固件等方式实现電(diàn)连接。

B6. 用(yòng)垫圈实现缝隙的桥接,消除开槽并且在缝隙之间提供导電(diàn)通路。

B7. 杜绝缺口、裂缝和屏蔽太薄的情况。

B8. 避免屏蔽材料中出现直拐角以及过大的弯角。

B9. 确保孔径小(xiǎo)于等于20mm以及槽的長(cháng)度小(xiǎo)于等于20mm。相同开口面积条件下,采用(yòng)孔比槽好。

B10. 如果要求大的开口以及有(yǒu)敏感器件,应该在操纵杆、指示器之间设置第二层屏蔽。

B11. 如果可(kě)能(néng),使用(yòng)几个小(xiǎo)的开口来代替一个大的开口。

B12. 如果可(kě)能(néng),这些开口之间的间距尽量大。

B13. 对接地设备,在连接器进入的地方将屏蔽层和机箱地连接在一起。

B14. 对未接地(双重隔离)设备,将屏蔽材料同开关附近的電(diàn)路公共地连接起来。

B15. 在靠近電(diàn)子设备处并行放置一个地平面或二级屏蔽(金属或者铜/聚酯薄膜分(fēn)层),并且弯曲该地平面以便在電(diàn)缆进入位置可(kě)以连接到机箱地或者電(diàn)路的公共地。

B16. 尽量让電(diàn)缆进入点靠近面板中心,而不是靠近边缘或者拐角的位置。

B17. 在屏蔽装置中排列的各个开槽要与ESD電(diàn)流流过的方向平行。

B18. 当考虑间接ESD问题时,应该在水平的電(diàn)路板和背板下面安装一个局部的屏蔽装置。

在電(diàn)源连接器和连接器引向外部的地方,要连接到机箱地或者電(diàn)路的公共地。

在安装孔的位置使用(yòng)带金属支架的金属片来充当附加的接地点,或者用(yòng)塑料支架来实现绝缘和隔离。

電(diàn)路板/背板下面,要放置聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板,并在机箱和连接器金属體(tǐ)之间安放一个紧固薄片,既便宜又(yòu)容易实现。

在底盘中,要使用(yòng)导電(diàn)涂层或者导電(diàn)的填充物(wù)(见B1)。

B19. 在塑料机箱上的控制面板和键盘位置处安装局部屏蔽装置来阻止ESD:

電(diàn)源连接器和引向外部的连接器的位置,要连接到机箱地或者電(diàn)路公共地。

使用(yòng)金属片以便小(xiǎo)的高频電(diàn)容可(kě)以焊接在屏蔽装置与开关/操纵杆/指示器的连接处之间。

在塑料中使用(yòng)聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板,或者使用(yòng)导電(diàn)涂层或导電(diàn)填充物(wù)。

B20. 在铝板上使用(yòng)薄的导電(diàn)铬化镀层或者铬酸盐涂层,但不能(néng)采用(yòng)阳极電(diàn)镀。

B21. 要达到大于20到40dB的屏蔽效果。

B22. 除去阳极電(diàn)镀以及接缝、接合处和连接器处的涂层。

B23. 在不锈钢的焊接接合处实现良好的导電(diàn)连续性。

B24. 在塑料中要使用(yòng)导電(diàn)填充材料。由于铸型部件的表面通常具有(yǒu)树脂材料,这样很(hěn)难实现低電(diàn)阻的连接。

B25. 在钢材料上使用(yòng)薄的导電(diàn)铬酸盐涂层。

B26. 让清洁整齐的金属表面直接接触而不要依靠螺钉来实现金属部件的连接。

B27. 紧靠双面板的位置处增加一个地平面,在最短间距处将该地平面连接到電(diàn)路上的接地点。

B28. 沿整个外围用(yòng)屏蔽涂层(铟锡氧化物(wù)、铟氧化物(wù)和锡氧化物(wù)等)将显示器与机箱屏蔽装置连接在一起。

B29. 在操作员经常接触的位置处,要提供一个到地的抗静電(diàn)(弱导電(diàn))路径,比如键盘上的空格键。

B30. 要让操作员很(hěn)难产生到金属板边缘或角的電(diàn)弧放電(diàn)。電(diàn)弧放電(diàn)到这些点会比電(diàn)弧放電(diàn)到金属板中心导致更多(duō)间接ESD的影响。

B31. 在薄膜键盘電(diàn)路和与其相对的邻近電(diàn)路之间放置一个接地的导電(diàn)层。

接地和邦定

ESD電(diàn)弧電(diàn)流放電(diàn)时首先对被击中金属物(wù)體(tǐ)的寄生電(diàn)容充電(diàn),然后流经每一个可(kě)能(néng)的导電(diàn)路径。電(diàn)弧電(diàn)流更容易在片状、或短而宽的带状导體(tǐ)而不是窄線(xiàn)上流过。金属部件之间通过邦定(binding)建立低阻抗的路径,从而使相互之间的電(diàn)压差降至最低,而接地则提供最终泄放掉累积電(diàn)荷的路径。為(wèi)了使接地和邦定能(néng)够有(yǒu)效地防止ESD,应该确保ESD電(diàn)流密度和電(diàn)流路径阻抗尽可(kě)能(néng)低。

C1.在ESD電(diàn)流预计会流过的位置采用(yòng)多(duō)点接地。

C2.在预计ESD電(diàn)流不会流过的位置采用(yòng)单点接地。

C3.将机箱的金属部分(fēn)同底盘地连接在一起。

C4.确保每个電(diàn)缆进入点离机箱地的距离在40mm(1.6英寸)以内。

C5.将连接器外壳和金属开关外壳都连接到机箱地上。

C6.在薄膜键盘周围放置宽的导電(diàn)保护环,将环的外围连接到金属机箱上,或至少在四个拐角处连接到金属机箱上。不要将该保护环与PCB地连接在一起。

C7.在靠近连接器的地方,要将连接器上的信号用(yòng)一个L-C或者磁珠-電(diàn)容滤波器接到连接器的机箱地上。

C8.确保未隔离的机箱地与電(diàn)子设备的距离大于等于2.2mm。 C9.在机箱地和電(diàn)路公共地之间加入一个磁珠。

C10.确保邦定接头短而粗。如果可(kě)能(néng),長(cháng)宽比尽量做到小(xiǎo)于等于5:1。

C11.如果可(kě)能(néng)使用(yòng)多(duō)个邦定接头,从而避免ESD電(diàn)流过分(fēn)集中。

C12.确保邦定接头和邦定線(xiàn)遠(yuǎn)离易受影响的電(diàn)子设备或者这些電(diàn)子设备的電(diàn)缆。

C13. 选择邦定接头和邦定線(xiàn)的材料以及紧固件/紧固方式时,要尽可(kě)能(néng)减小(xiǎo)侵蚀,见表2。

1. 相互靠近的部件之间的EMF必须小(xiǎo)于0.75V,如果在潮湿的环境中EMF值必须小(xiǎo)于0.25V;

2. 阳极(正极)部件的尺寸应大于阴极(负极)部件。

C14.将控制金属柄接地到具有(yǒu)接地叉指或导電(diàn)衬套的屏蔽装置上。 C15.确保邦定带和邦定線(xiàn)遠(yuǎn)离易受ESD影响的PCB。

C16.在铰链中要补充邦定带或邦定線(xiàn)。

C17. 通过焊接、铜焊、铅焊或型铁弯曲等方式来焊接不能(néng)分(fēn)开的金属片。

C18.从操作/维修考虑,必须分(fēn)离的金属片要通过下面的方式邦定起来:1.要让金属表面保持清洁并直接接触。2.让具有(yǒu)薄导電(diàn)涂层的金属表面直接紧密接触。

C19.固體(tǐ)邦定带优于编织邦定带。

C20.确保邦定处不潮湿。

C21.使用(yòng)多(duō)个导體(tǐ)将机箱内所有(yǒu)電(diàn)路板的地平面或地网格连接在一起。

C22.确保邦定点和垫圈的宽度大于5mm。

保护電(diàn)源

電(diàn)子设备内部的電(diàn)源分(fēn)配系统是遭受ESD電(diàn)弧感性耦合的主要对象。下面的步骤将有(yǒu)助于電(diàn)源分(fēn)配系统防范ESD。

D1.将電(diàn)源線(xiàn)和相应的回路線(xiàn)紧密绞合在一起。

D2.在每一根電(diàn)源線(xiàn)进入電(diàn)子设备的地方放一个磁珠。

D3.在每一个電(diàn)源管脚和紧靠電(diàn)子设备机箱地之间放一个瞬流抑制器、金属氧化压敏電(diàn)阻(MOV)或者1kV高频電(diàn)容。

D4. 最好在PCB上布置专门的電(diàn)源和地平面,或者紧密的電(diàn)源和地栅格,并采用(yòng)大量旁路和去耦電(diàn)容。

抗ESD的布局布線(xiàn)设计

通过PCB的分(fēn)层设计、恰当的布局布線(xiàn)和安装以及上述ESD防范方法可(kě)以实现PCB的抗ESD设计。要达到期望的抗ESD能(néng)力,通常要通过几个测试-解决问题-重新(xīn)测试这样的周期,每一个周期都可(kě)能(néng)至少影响到一块PCB的设计。在PCB设计过程中,通过预测可(kě)以将绝大多(duō)数设计修改仅限于增减元器件。

要调整PCB布局布線(xiàn),使之具有(yǒu)最强的ESD防范性能(néng)。

E1.尽可(kě)能(néng)使用(yòng)多(duō)层PCB:

相对于双面PCB而言,地平面和電(diàn)源平面以及排列紧密的信号線(xiàn)-地線(xiàn)间距能(néng)够减小(xiǎo)共模阻抗(common impedance)和感性耦合,使之达到双面PCB的1/10到1/100。

尽量地将每一个信号层都紧靠一个電(diàn)源层或地線(xiàn)层。

对于顶层和底层表面都有(yǒu)元器件、具有(yǒu)很(hěn)短连接線(xiàn)以及许多(duō)填充地的高密度PCB,可(kě)以考虑使用(yòng)内层線(xiàn)。大多(duō)数的信号線(xiàn)以及電(diàn)源和地平面都在内层上,因而类似于具备屏蔽功能(néng)的法拉第盒。

E2.对于双面PCB来说,要采用(yòng)紧密交织的電(diàn)源和地栅格。

電(diàn)源線(xiàn)紧靠地線(xiàn)。

在垂直和水平線(xiàn)或填充區(qū)之间,要尽可(kě)能(néng)多(duō)地连接。

一面的栅格尺寸小(xiǎo)于等于60mm。

如果可(kě)能(néng),栅格尺寸应小(xiǎo)于13mm(0.5英寸)。

E3.确保每一个電(diàn)路尽可(kě)能(néng)紧凑。

E4.尽可(kě)能(néng)将所有(yǒu)连接器都放在一边。

E5.如果可(kě)能(néng),将電(diàn)源線(xiàn)从卡的中央引入,并遠(yuǎn)离容易直接遭受ESD影响的區(qū)域。

E6.在引向机箱外的连接器(容易直接被ESD击中)下方的所有(yǒu)PCB层上,要放置宽的机箱地或者多(duō)边形填充地,并每隔大约13mm的距离用(yòng)过孔将它们连接在一起。

E7.在卡的边缘上放置安装孔,安装孔周围用(yòng)无阻焊剂的顶层和底层焊盘连接到机箱地上。

E8. PCB装配时,不要在顶层或者底层的焊盘上涂覆任何焊料。使用(yòng)具有(yǒu)内嵌垫圈的螺钉来实现PCB与金属机箱/屏蔽层或接地面上支架的紧密接触。

E9.在每一层的机箱地和電(diàn)路地之间,要设置相同的“隔离區(qū)”;如果可(kě)能(néng),保持间隔距离為(wèi)0.64mm(0.025英寸)。

E10.在卡的顶层和底层靠近安装孔的位置,每隔100mm(4.0英寸)沿机箱地線(xiàn)将机箱地和電(diàn)路地用(yòng)1.27mm宽(0.050英寸)的線(xiàn)连接在一起。与这些连接点的相邻处,在机箱地和電(diàn)路地之间放置用(yòng)于安装的焊盘或安装孔。这些地線(xiàn)连接可(kě)以用(yòng)刀(dāo)片划开,以保持开路;或用(yòng)磁珠/高频電(diàn)容的跳接,以改变ESD测试时的接地机制。

E11.如果電(diàn)路板不会放入金属机箱或者屏蔽装置中,在電(diàn)路板的顶层和底层机箱地線(xiàn)上不能(néng)涂阻焊剂,这样它们可(kě)以作為(wèi)ESD電(diàn)弧的放電(diàn)棒。

E12.要以下列方式在電(diàn)路周围设置一个环形地:

除边缘连接器以及机箱地以外,在整个外围四周放上环形地通路。

确保所有(yǒu)层的环形地宽度大于2.5mm (0.1英寸)。

每隔13mm(0.5英寸)用(yòng)过孔将环形地连接起来。

将环形地与多(duō)层電(diàn)路的公共地连接到一起。

对安装在金属机箱或者屏蔽装置里的双面板来说,应该将环形地与電(diàn)路公共地连接起来。

不屏蔽的双面電(diàn)路则应该将环形地连接到机箱地,环形地上不能(néng)涂阻焊剂,以便该环形地可(kě)以充当ESD的放電(diàn)棒,在环形地(所有(yǒu)层)上的某个位置处至少放置一个0.5mm宽(0.020英寸)的间隙,这样可(kě)以避免形成一个大的环路。

信号布線(xiàn)离环形地的距离不能(néng)小(xiǎo)于0.5mm。

E13.在能(néng)被ESD直接击中的區(qū)域,每一个信号線(xiàn)附近都要布一条地線(xiàn)。

E14.I/O電(diàn)路要尽可(kě)能(néng)靠近对应的连接器。

E15.对易受ESD影响的電(diàn)路,应该放在靠近電(diàn)路中心的區(qū)域,这样其它的電(diàn)路可(kě)以為(wèi)它们提供一定的屏蔽作用(yòng)。

E16.通常在接收端放置串联的電(diàn)阻和磁珠,而对那些易被ESD击中的電(diàn)缆驱动器,也可(kě)以考虑在驱动端放置串联的電(diàn)阻或磁珠。

E17.通常在接收端放置瞬态保护器。1.用(yòng)短而粗的線(xiàn)(長(cháng)度小(xiǎo)于5倍宽度,最好小(xiǎo)于3倍宽度)连接到机箱地。2.从连接器出来的信号線(xiàn)和地線(xiàn)要直接接到瞬态保护器,然后才能(néng)接電(diàn)路的其它部分(fēn)。

E18.在连接器处或者离接收電(diàn)路25mm(1.0英寸)的范围内,要放置滤波電(diàn)容。1.用(yòng)短而粗的線(xiàn)连接到机箱地或者接收電(diàn)路地(長(cháng)度小(xiǎo)于5倍宽度,最好小(xiǎo)于3倍宽度)。2.信号線(xiàn)和地線(xiàn)先连接到電(diàn)容再连接到接收電(diàn)路。

E19.要确保信号線(xiàn)尽可(kě)能(néng)短。

E20.信号線(xiàn)的長(cháng)度大于300mm(12英寸)时,一定要平行布一条地線(xiàn)。

E21.确保信号線(xiàn)和相应回路之间的环路面积尽可(kě)能(néng)小(xiǎo)。对于長(cháng)信号線(xiàn)每隔几厘米或几英寸调换信号線(xiàn)和地線(xiàn)的位置来减小(xiǎo)环路面积。

E22.从网络的中心位置驱动信号进入多(duō)个接收電(diàn)路。

E23.确保電(diàn)源和地之间的环路面积尽可(kě)能(néng)小(xiǎo),在靠近集成電(diàn)路芯片每一个電(diàn)源管脚的地方放置一个高频電(diàn)容。

E24.在距离每一个连接器80mm(3英寸)范围以内放置一个高频旁路電(diàn)容。

E25.在可(kě)能(néng)的情况下,要用(yòng)地填充未使用(yòng)的區(qū)域,每隔60mm距离将所有(yǒu)层的填充地连接起来。

E26.确保在任意大的地填充區(qū)(大约大于25×6mm(1×0.25英寸))的两个相反端点位置处要与地连接。

E27.電(diàn)源或地平面上开口長(cháng)度超过8mm(0.3英寸)时,要用(yòng)窄的線(xiàn)将开口的两侧连接起来。

E28.复位線(xiàn)、中断信号線(xiàn)或者边沿触发信号線(xiàn)不能(néng)布置在靠近PCB边沿的地方。

E29.将安装孔同電(diàn)路公地连接在一起,或者将它们隔离开来。1.金属支架必须和金属屏蔽装置或者机箱一起使用(yòng)时,要采用(yòng)一个零欧姆電(diàn)阻实现连接。2.确定安装孔大小(xiǎo)来实现金属或者塑料支架的可(kě)靠安装,在安装孔顶层和底层上要采用(yòng)大焊盘,底层焊盘上不能(néng)采用(yòng)阻焊剂,并确保低层焊盘不采用(yòng)波峰焊工艺焊接。 E30.不能(néng)将受保护的信号線(xiàn)和不受保护的信号線(xiàn)并行排列。

E31.要特别注意复位、中断和控制信号線(xiàn)的布線(xiàn)。1.要采用(yòng)高频滤波。2.遠(yuǎn)离输入和输出電(diàn)路。3.遠(yuǎn)离電(diàn)路板边缘。

E32.PCB要插入机箱内,不要安装在开口位置或者内部接缝处。

E33.要注意磁珠下、焊盘之间、可(kě)能(néng)接触到磁珠的信号線(xiàn)的布線(xiàn)。有(yǒu)些磁珠导電(diàn)性能(néng)相当好,可(kě)能(néng)会产生意外的导電(diàn)路径。

E34.如果一个机箱或者主板要内装几个電(diàn)路卡,应该将对静電(diàn)最敏感的電(diàn)路卡放在最中间。

作者:John R. Barnes

顾问工程师

Lexmark國(guó)际公司

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